高精純石墨盤在多個領(lǐng)域具有重要作用，首要體現(xiàn)在以下幾個方面：
半導(dǎo)體制作：
    晶體成長：在半導(dǎo)體晶體成長過程中，高精純石墨盤用于承載晶種和質(zhì)料，供給耐高溫、耐腐蝕的環(huán)境，保證晶體在高溫下安穩(wěn)成長。
    外延工藝：在外延成長中，石墨盤作為基座，承載晶片并供給均勻的熱場，保證外延層的質(zhì)量和均勻性。
    離子注入：高精純石墨盤可用于離子注入設(shè)備中，作為部件資料，承受高溫和離子束的炮擊，保證設(shè)備的安穩(wěn)運行。
第三代半導(dǎo)體資料制備：
    碳化硅（SiC）單晶成長：在SiC單晶成長爐中，石墨盤作為坩堝或籽晶托盤，承受2200℃以上的高溫，供給安穩(wěn)的熱場，保證SiC晶體的質(zhì)量。
    氮化鎵（GaN）外延成長：石墨盤作為GaN薄膜外延成長的承載基座，具有高耐熱、熱傳導(dǎo)率均勻、化學(xué)安穩(wěn)性杰出的特色，滿足外延成長的工藝要求。
高溫?zé)崽幚恚?br>    金屬熱處理：在有色金屬職業(yè)，高精純石墨盤用于金屬液體的制作和處理，供給耐高溫、抗氧化的性能，保證金屬液體的純凈度和工藝質(zhì)量。
    粉末冶金：在粉末冶金燒結(jié)過程中，石墨盤承載粉末并均勻加熱，防止燒結(jié)體密度不均或開裂，進步產(chǎn)品質(zhì)量。
等離子蝕刻設(shè)備：
    部件資料：石墨盤在等離子蝕刻設(shè)備中作為基座資料，利用其耐高溫、導(dǎo)電導(dǎo)熱性好、化學(xué)安穩(wěn)性高的特性，為等離子蝕刻供給安穩(wěn)的工作環(huán)境，反抗化學(xué)侵蝕，堅持基座的安穩(wěn)性。
柔性電子與熱辦理：
    柔性石墨箔使用：高精純石墨盤的相關(guān)資料（如柔性石墨箔）可用于半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中的保溫筒、隔熱資料、柔性層、密封資料等，進步體系和工藝的性能，下降能耗。
    熱傳導(dǎo)資料：石墨盤的高熱導(dǎo)率使其成為半導(dǎo)體設(shè)備中的理想熱傳導(dǎo)資料，可以有用辦理設(shè)備溫度，進步設(shè)備的安穩(wěn)性和壽數(shù)。