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      鐘罩爐石墨盤是鐘罩爐系統(tǒng)中的中心部件,首要用于承載工件并在高溫環(huán)境下結(jié)束均勻加熱,其用處廣泛,包含多個(gè)高精度熱處理范疇。以下是其具體用處的具體分析:
      1.半導(dǎo)體制作
      晶圓熱處理
          在集成電路制作中,石墨盤用于晶圓的退火、氧化、懈怠、外延成長等工藝。例如,在懈怠工藝中,石墨盤承載晶圓并均勻加熱至1000℃以上,確保摻雜劑均勻懈怠到晶圓外表,構(gòu)成安穩(wěn)的PN結(jié)。
          要害要求:溫度均勻性需控制在±1℃以內(nèi),防止晶圓內(nèi)部應(yīng)力或電學(xué)功用差異。
      外延層堆積
          在LED芯片和功率器件制作中,石墨盤用于承載晶圓進(jìn)行外延層堆積(如GaN、SiC)。其高純度(≥99.99%)和低雜質(zhì)特性可防止污染外延層,確保器件功用。
      2.光伏工業(yè)
      硅片懈怠與鈍化
          在PERC、TOPCon等高效電池片制作中,石墨盤用于硅片的磷懈?。∟型)或硼懈?。≒型),以及不好鈍化層(如AlOx、SiNx)的堆積。
          要害作用:石墨盤的高導(dǎo)熱性確保硅片外表溫度均勻,防止懈怠濃度梯度導(dǎo)致的功率不堅(jiān)決。
      高溫?zé)Y(jié)
          在銀漿燒結(jié)工藝中,石墨盤承載電池片并加熱至800-900℃,使銀漿與硅片構(gòu)成歐姆觸摸,下降觸摸電阻。
      3.熱處理與金屬加工
      粉末冶金燒結(jié)
          在硬質(zhì)合金、陶瓷粉末的燒結(jié)過程中,石墨盤作為承載東西,供應(yīng)均勻的熱場,確保燒結(jié)體密度和功用共同。
          優(yōu)勢:石墨的耐高溫性(最高可達(dá)3000℃)和化學(xué)安穩(wěn)性可防止與金屬粉末發(fā)生反應(yīng)。
      淬火與回火
          在金屬零件的熱處理中,石墨盤用于承載工件進(jìn)行淬火(快速冷卻)或回火(消除應(yīng)力),行進(jìn)零件的硬度和耐性。
      4.先進(jìn)資料制備
      碳化硅(SiC)單晶成長
          在物理氣相傳輸(PVT)法成長SiC單晶時(shí),石墨盤作為坩堝或籽晶托盤,接受2000℃以上的高溫,并堅(jiān)持熱場安穩(wěn)。
          應(yīng)戰(zhàn):石墨盤需具有高純度(防止碳污染)和抗熱震性(接受快速升降溫)。
      石墨烯制備
          在化學(xué)氣相堆積(CVD)法成長石墨烯時(shí),石墨盤作為基底,承載銅箔或鎳箔并加熱至1000℃左右,促進(jìn)碳原子堆積構(gòu)成石墨烯薄膜。
      5.科研與新資料開發(fā)
      高溫試驗(yàn)途徑
          在資料科學(xué)研究中,石墨盤用于高溫拉曼光譜、X射線衍射等試驗(yàn),供應(yīng)安穩(wěn)的加熱和承載途徑。
          優(yōu)勢:石墨的低布景信號可削減對試驗(yàn)作用的煩擾。
      新式半導(dǎo)體資料檢驗(yàn)
          在氧化鎵(Ga2O2)、氮化鋁(AlN)等寬禁帶半導(dǎo)體資料的研發(fā)中,石墨盤用于高溫?fù)诫s、退火等工藝,驗(yàn)證資料功用。
      6.鐘罩爐石墨盤的中心優(yōu)勢
          高溫安穩(wěn)性:可接受2000℃以上的高溫,適用于極點(diǎn)工藝條件。
          化學(xué)慵懶:在高溫下不與大多數(shù)資料反應(yīng),防止污染工件。
      導(dǎo)熱均勻性:經(jīng)過優(yōu)化規(guī)劃(如導(dǎo)熱銅管、分區(qū)加熱),結(jié)束盤面溫度均勻性±1℃以內(nèi)。
          可定制性:可根據(jù)工件形狀(如圓形、方形)和標(biāo)準(zhǔn)定制凹槽、凸臺等結(jié)構(gòu)。
      7.運(yùn)用案例
      案例1:半導(dǎo)體晶圓懈怠
          某芯片制作廠運(yùn)用鐘罩爐石墨盤進(jìn)行12英寸晶圓的磷懈怠,工藝溫度1050℃,懈怠時(shí)刻60分鐘。石墨盤經(jīng)過導(dǎo)熱銅管結(jié)束溫度均勻性±0.8℃,晶圓方塊電阻均勻性≤3%。
      案例2:光伏電池片燒結(jié)
          某光伏企業(yè)采用石墨盤進(jìn)行PERC電池片的銀漿燒結(jié),工藝溫度850℃,升溫速率50℃/s。石墨盤的高導(dǎo)熱性使電池片轉(zhuǎn)化功率行進(jìn)0.15%。
          鐘罩爐石墨盤的中心用處是在高溫環(huán)境下為工件供應(yīng)均勻、安穩(wěn)的熱場,其運(yùn)用掩蓋半導(dǎo)體、光伏、熱處理、先進(jìn)資料等多個(gè)范疇。跟著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)縮小和光伏電池功率行進(jìn),對石墨盤的溫度均勻性、純度和機(jī)械強(qiáng)度要求越來越高。未來,跟著第三代半導(dǎo)體(如SiC、GaN)和柔性電子的發(fā)展,鐘罩爐石墨盤將在更苛刻的工藝條件下發(fā)揮要害作用。

      鐘罩爐石墨盤


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